« poprzedni punkt | następny punkt » |
Rezonans pojawia się w każdym obwodzie elektrycznym dla pulsacji przy której reaktancja wypadkowa obwodu X(w ) lub susceptancja wypadkowa B(w ) obwodu jest równa zeru. Warunkiem koniecznym powstania rezonansu jest jednoczesne występowanie w obwodzie elementów reaktancyjnych: indukcyjności i pojemności.
Definicja 4.9. Rezonans powstający w obwodzie, w którym elementy L i C (oraz dodatkowo R) są połączone szeregowo (rys.4.10) nazywamy rezonansem szeregowym lub rezonansem napięć.
W tym przypadku występuje kompensacja reaktancji indukcyjnej XL z reaktancją pojemnościową XC i reaktancja całkowita jest równa zero
X = XL + XC = 0 | (4.70) |
Rys.4.10. Szeregowy obwód rezonansowy
Definicja 4.10. Rezonans powstający w obwodzie, w którym równolegle połączone są gałęzie L i C (dodatkowo R) lub gałęzie RL i RC (rys.4.11) nazywamy rezonansem równoległym lub rezonansem prądów.
Rys.4.11. Równoległe obwody rezonansowe
Przy rezonansie prądów wypadkowa susceptancja obwodu jest równa zero
B = BL + BC = 0 | (4.71) |
Częstotliwości (lub pulsacje), przy których zachodzą równości (4.70) lub (4.71) nazywamy częstotliwościami (pulsacjami) rezonansowymi. Przy częstotliwości rezonansowej napięcie i prąd na zaciskach obwodu rezonansowego są zgodne w fazie, zatem obwód przyjmuje charakter rzeczywisty.
O jakości obwodu rezonansowego mówi współczynnik zwany dobrocią Q.
Definicja 4.11. Dobrocią obwodu rezonansowego Q nazywamy liczbę proporcjonalną do stosunku energii gromadzonej w elementach reaktancyjnych (energii pola elektrycznego i energii pola magnetycznego) w rezonansie do energii zamienianej na ciepło w czasie okresu przebiegu T
(4.72) |
Dla dobrego obwodu współczynnik ten powinien przyjmować duże wartości np. kilkaset.
Obwody rezonansowe stosuje się w praktyce do filtrowania przebiegów o określonych częstotliwościach w urządzeniach radiotechnicznych oraz w układach wzmacniaczy selektywnych (wąsko pasmowych) i generatorów.
Rezonans napięć
Rozważmy rezonans napięć, który występuje w szeregowym obwodzie rezonansowym jak na rys.4.10. Na występujący w nim dodatkowo opór R składają się opory szeregowe strat cewki indukcyjnej RL i kondensatora RC oraz opór R1 o małej wartości włączony do obwodu
R = RL + RC + R1 | (4.73) |
Obwód analizujemy w stanie ustalonym przyjmując, że zasilany jest on z idealnego źródła SEM sinusoidalnie zmiennego E o regulowanej pulsacji w. Impedancja obwodu szeregowego (rys.4.10) jest
(4.74) |
przy czym reaktancja obwodu i moduł impedancji są odpowiednio równe
(4.75) |
(4.76) |
Wykresy zależności (4.75) i (4.76) oraz R(w ) w funkcji w przedstawiono na rys. 4.12.
Rys.4.12. Zależności w funkcji składowych i modułu impedancji szeregowego obwodu R,L i C
Jak widać z rysunku istnieje pulsacja w 0, przy której X( w 0) = 0 . Jest nią pulsacja rezonansowa
(4.77) |
Przy tej pulsacji obwód znajduje się w stanie rezonansu a impedancja ma charakter rzeczywisty o najmniejszym możliwym module
= | (4.78) |
W rezonansie reaktancja indukcyjna obwodu równa się co do modułu reaktancji pojemnościowej. Wartość tej reaktancji oznaczamy wspólnym symbolem
(4.79) |
i nazywamy oporem charakterystycznym.
O jakości obwodu rezonansowego decyduje dobroć Q. W oparciu o zależność (4.72) dobroć obwodu szeregowego wynosi
(4.80) |
Od dobroci zależy również szerokość pasma przenoszenia obwodu rezonansowego (określanego dla spadku 3-dB)
(4.81) |
Badając przebiegi napięć na elementach dla pulsacji rezonansowej w 0 otrzymamy
(4.82) |
Z ostatnich zależności widać, ze w rezonansie całe napięcie zasilające E odkłada się na oporze R, a napięcia na elementach reaktancyjnych działają wzdłuż jednej prostej w przeciwnych kierunkach i mają amplitudy Q razy większe od Em. Napięcie na indukcyjności wyprzedza SEM E o kąt p /2, a na pojemności opóźnia się o kąt p /2. Ponieważ amplitudy napięć na indukcyjności i pojemności są wielokrotnie większe od Em, to rezonans ten nosi nazwę rezonansu napięć.
Rezonans prądów
Rezonans prądów, który występuje w równoległych obwodach rezonansowych rozważymy na przykładzie obwodu z rys.4.11a. Na występujący w nim dodatkowo opór R składają się opory równolegle strat cewki indukcyjnej RL i kondensatora RC oraz opór R1 o dużej wartości włączony do obwodu
(4.83) |
Obwód zasilany jest z idealnego źródła prądowego, o sinusoidalnie zmiennej wydajności prądowej J i regulowanej pulsacji w. Admitancja obwodu równoległego (rys.4.11a) wynosi
(4.84) |
przy czym konduktancja obwodu i moduł admitancji są odpowiednio równe
(4.85) |
(4.86) |
Przebiegi z rys.4.12. po zamianie oznaczeń są również wykresami zależności (4.85) i (4.86) oraz G(w) w funkcji w.
Pulsacja rezonansowa obwodu równoległego, wyznaczona z przyrównania susceptancji (4.85) do zera, przyjmuje wartość
(4.87) |
Przy tej pulsacji obwód znajduje się w stanie rezonansu, a admitancja ma charakter rzeczywisty o najmniejszym możliwym module
(4.88) |
W rezonansie susceptancja indukcyjna obwodu równa się co do modułowi susceptancji pojemnościowej
(4.89) |
i pozostaje słuszna zależność (4.79) definiująca opór charakterystyczny obwodu. Natomiast dobroć tego obwodu jest rozumiana jako
(4.90) |
Przy tych warunkach szerokość pasma przenoszenia obwodu równoległego jest określona, tak samo jak dla obwodu szeregowego, zależnością (4.81). Prądy płynące w poszczególnych gałęziach w stanie rezonansu są równe
, , | (4.91) |
Jak łatwo zauważyć, w rezonansie całe wydajność prądowa J płynie przez opór R, a prądy w elementach susceptancyjnych działają wzdłuż jednej prostej w przeciwnych kierunkach i mają amplitudy Q razy większe od Jm. Prąd płynący w pojemności C wyprzedza wydajność prądową J o kąt p/2, a w indukcyjności L opóźnia się o kąt p/2. Mając na uwadze to, że amplitudy prądów na pojemności i indukcyjności są wielokrotnie większe od Jm, rezonans ten nazywamy rezonansem prądów.
Przykład 4.6. Z jednakowych elementów L i C zbudowano dwa obwody rezonansowe szeregowy i równoległy o częstotliwości rezonansowej f0 = 106/2p. Przyjmując wartości indukcyjności L = 1 mH i dobroci obu obwodów Q = 100, wyznaczyć wartości pojemności C i oporu R w obu obwodach.
Zgodnie z (4.77) i (4.87)
Opór charakterystyczny r = w 0 L = 2 p f L = 103 W,
stąd opór R dla obwodu szeregowego R = r/Q = 10 W, a dla równoległego R = Q r = 105 W.
« poprzedni punkt | następny punkt » |